Сибирские ученые случайно создали перспективный материал для электроники

Москва. 24 августа. INTERFAX.RU - Ученые Красноярского научного центра (КНЦ), Сибирского федерального университета и Сибирского государственного университета науки и технологий имени академика М.Ф.Решетнева получили новый материал для тонких пленок из оксинитрида титана, легированного медью, сообщает издание СО РАН "Наука в Сибири" со ссылкой на КНЦ.

"Полученные результаты могут стать технологическим прорывом в разработке резисторов и транзисторов нового поколения", - говорится в сообщении.

Отмечается, что тонкие пленки на основе нитрида титана широко используются в производстве кремниевых микропроцессоров и других больших интегральных микросхем, в фотокатализаторах, в стоматологии и даже при изготовлении куполов церквей.

Полученный красноярскими учеными материал обладает электрическим сопротивлением в тысячу раз меньше, чем у обычного нитрида титана.

"Изучая полученное соединение, физики открыли новое явление сегрегации меди, которая не распределялась как обычно, по всей пленке, а скапливалась на ее поверхности. К открытиям красноярских физиков привела цепь случайных технических ошибок и исследование их последствий", - говорится в сообщении.

Из-за присутствия кислорода в камере для роста пленок вместо запланированного чистого вещества ученые получили оксинитрид титана, оказавшийся легированным медью, которая попала в пленки из-за ошибочно скомпонованного оборудования.

Выяснилось, что газовый баллон, использующийся в установке, пришел к ученым с латунным вентилем вместо нержавеющей стали, с него-то и летели частицы меди, выбиваемые газом прямо в камеру роста.

При этом медь не распределялась по всей пленке, а собиралась на ее поверхности и образовывала дополнительный слой.

"В результате красноярские ученые не только получили перспективный материал, но и открыли новое явление - сегрегацию меди. И сделали это сравнительно дешевым, по меркам современных индустрий, методом", - отмечается в публикации.

Метод может пригодиться в приборостроении, например, для устройств, которые работают на высоких частотах. Разработка перспективна для приборов, которым необходимо низкое сопротивление, например транзисторов, резисторов, конденсаторов, фотокатализаторов и солнечно-селективных поглощающих покрытий.